Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика Аннотация к статье << Назад Разработка высокотемпературных полупроводниковых датчиков давления Мокров Е.А., Баринов И.Н. Описываются некоторые аспекты построения полупроводниковых высокотемпературных датчиков давления (ВДД). Показано, что карбид кремния является наиболее перспективным материалом для создания ЧЭ ВДД. Ключевые слова: высокотемпературные полупроводниковые датчики давления, чувствительный элемент, измерительные системы. Контактный телефон 8-908-528-06-36. E-mail: mzungu@inbox.ru