|
advertisement |
|
|
|
|
|
|
Instruments and Systems: Monitoring, Control, and Diagnostics Annotation << Back
Development of high-temperature semiconductor pressure transducers |
Mokrov E.A., Barinov I.N.
The article describes some development features for high-temperature semiconductor pressure transducers. It considers silicon carbide as the most perspective material for transducers’ sensing elements. Key words: high temperature semiconductor pressure transducers, sensing element, measuring systems.
Phone: 8-908-528-06-36.
E-mail: mzungu@inbox.ru |
|
|
|
Last news:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |