Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика Аннотация к статье << Назад Метод контроля плотности поверхностного заряда мезаструктурированной границы в мезаэпитаксиальных полупроводниковых структурах А.А. СУРАЙКИН Приведены результаты исследования и разработки метода контроля плотности поверхностного заряда в «меза»-области высоковольтных, мезаэпитаксиальных диодных структур. На основе аналитической модели общей барьерной ёмкости p-n-перехода мезаэпитаксиальных диодных структур, учитывающей ёмкость периферийной «меза»-области показано, как взаимосвязан поверхностный заряд мезаструктурированной границы диодных структур с величиной общей барьерной ёмкости p-n-перехода. Приведена эквивалентная, электрическая схема замещения диодной структуры с мезаструктурированной границей, в которой конденсаторный элемент поверхностного заряда включен в общую эквивалентную схему замещения диодной структуры. Приведены расчётные вольт-фарадные характеристики мезаэпитаксиальных диодных структур при наличии повышенной плотности поверхностного заряда. Выполнено измерение и исследование вольт-фарадных характеристик экспериментальных образцов мезаэпитаксиальных диодных структур: с малой плотностью поверхностного заряда в мезаструктурированной границе; с повышенной плотностью поверхностного заряда. Показано их различие и результат расчёта плотности поверхностного заряда. Приведён метод расчёта плотности поверхностного заряда с применением аналитических соотношений, разработанных для расчёта плотности зарядовых состояний на поверхности «меза»-области мезаэпитаксиальных диодных структур. Ключевые слова: мезаэпитаксиальная диодная структура, мезаструктурированная граница, «меза»-область, барьерная ёмкость, вольт-фарадная характеристика, зарядовые состояния. DOI: 10.25791/pribor.6.2026.1681 Стр. 22-31.