Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика Аннотация к статье << Назад Состояние разработок и тенденции развития высокотемпературных тензорезистивных датчиков давлений на основе карбида кремния И.Н. БАРИНОВ, Б.В. ЦЫПИН Представлены состояние разработок, тенденции развития, а также конструктивно-технологические проблемы создания высокотемпературных полупроводниковых датчиков давлений на основе карбида кремния. Ключевые слова: карбид кремния, высокотемпературный датчик давления, технология изготовления, чувствительный элемент. E-mail: mzungu@inbox.ru