Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика Аннотация к статье << Назад Методика неразрушающего контроля мезаструктурированной границы высоковольтных полупроводниковых диодов А.И. СУРАЙКИН, Н.Н. БЕСПАЛОВ, А.А. СУРАЙКИН Одной из основных технологий получения высоковольтных полупроводниковых приборов является создание устройств на основе многослойных мезаэпитаксиальных структур. Для обеспечения качества и стабильности воспроизведения электрических параметров и характеристик проектируемых полупроводниковых приборов, необходим контроль профиля мезаструктурированной границы кристаллов как на этапе их разработки, так и на этапе их серийного производства. В работе представлена методика неразрушающего контроля фаски мезаструктурированной границы высоковольтных полупроводниковых структур с применением расширенной аналитической модели барьерной ёмкости мезаэпитаксиального p-n-перехода, учитывающей взаимосвязь угла наклона «меза»-фаски и ширины области пространственного заряда. В статье приведены результаты исследования профиля «меза»-области на примере двух групп GaAs-диодов. Предложен метод определения угла наклона фаски «меза»-области на основе расширенной аналитической модели барьерной ёмкости p-n-перехода. Выполнен расчёт и графическое построение профиля травления «меза»- области в кристаллах GaAs-диодных структур. Ключевые слова: «меза»-область, угол наклона фаски «меза»-области, барьерная ёмкость p-n-перехода, вольт-фарадная характеристика. DOI: 10.25791/pribor.2.2026.1648 Стр. 11-18.