Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика Аннотация к статье << Назад Высокотемпературные полупроводниковые датчики давления с повышенной временной стабильностью И.Н. БАРИНОВ, В.С. ВОЛКОВ Показаны причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений и предложены методы по ее уменьшению. Предложен вариант чувствительного элемента датчика давления с тензорезисторами из монокристаллического кремния с удельным сопротивлением не менее 20 Ом∙см. Ключевые слова: высокотемпературный датчик давления, временная стабильность параметров, дефекты полупроводника, КНД-структура, высокоомный кремний. E-mail: mzungu@inbox.ru. Стр. 51-55