 |
advertisement |
|
|
|
|
|
|
Instruments and Systems: Monitoring, Control, and Diagnostics Annotation << Back
High temperature semiconductor pressure sensors with enhanced long-term stability |
I.N. BARINOV, V.S. VOLKOV
The causes of pressure sensor elements long-term unstability are showed. The long-term unstability reduction methods are proposed. The pressure sensor element with high-resistance strain gauges is proposed.
Key word: high temperature pressure sensor, long-term stability, semiconductor defects, soistructure, high-resistance silicon. E-mail: mzungu@inbox.ru. Pp. 51-55 |
|
|
|
Last news:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |